制造双栅驱动结构的方法、X射线图像传感器及探测器.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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制造双栅驱动结构的方法、X射线图像传感器及探测器.pdf

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本发明提供一种制造双栅驱动结构的方法、X射线图像传感器及探测器，该方法包括：S101：在基板上依次形成第一栅极、第一绝缘层，形成位于第一绝缘层远离第一栅极一侧的非晶硅层，并使非晶硅层远离第一绝缘层一侧形成凸起；S102：形成部分覆盖非晶硅层的源极、漏极，形成第二绝缘层，并在第二绝缘层一侧形成光电二极管层；S103：在第二绝缘层上形成第二栅极，形成覆盖光电二极管层、第二栅极的第三绝缘层，形成与光电二极管层连接的偏置电压导电层。本发明能够提升电子迁移率，增强开态电流，降低亚阈值摆幅，增强阈值电压和栅

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335041 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111570286.3 (22)申请日 2021.12.21 (71)申请人上海昊博影像科技有限公司