一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法.pdf

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本申请公开一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法，该微波二极管是由硒化铟(InSe)与黑磷(BP)组成的垂直异质结结构。本发明创造性地将制备碰撞离化雪崩渡越时间(IMPATT)微波二极管的传统材料替换成二维材料BP，并利用BP所独有的弹道雪崩机制，一种无散射的量子相干输运雪崩模式，使得该发明中IMPATT微波二极管在雪崩噪声方面明显低于传统雪崩器件，雪崩阈值电压也比传统器件降低2至3个数量级。除此之外，本发明还利用BP的双极性特征使得在制备IMPATT二极管时不需要对材料进行化学掺杂，降

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335191 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111648809.1 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人南通大学地址 22