一种锗硅电吸收调制器及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于四川
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一种锗硅电吸收调制器及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114355634 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111517323.4 (22)申请日 2021.12.13 (71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术