半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供初始衬底；形成衬底和位于所述衬底上的且沿第一方向排布的若干有源区，所述第一方向平行于衬底表面，各所述有源区包括第一区以及分别位于所述第一区两侧的第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排布，且所述第二区的顶部表面低于所述第一区的顶部表面；在所述若干有源区表面形成若干浮栅；在相邻有源区之间形成隔离层，所述隔离层还位于部分所述浮栅侧壁。增加了所形成的器件的沟道宽度，有利于提高器件阈值电压稳定性，改善器件的短沟道效应、漏致势垒降低效应的影响，从而提高器件性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334986 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111535669.7 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司