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本发明提供了一种FinFET器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底包括器件区及隔断区；在器件区及隔断区上形成FinFET结构；在FinFET结构上形成掩模层，利用掩模层去除隔断区上的FinFET结构，以形成暴露隔断区的沟槽；于沟槽内形成隔断结构，以隔断结构隔断器件区的FinFET结构。本发明中，在器件区与隔断区上形成FinFET结构，再去除隔断区的FinFET结构以形成隔断结构，可在结构及应力相对均匀的环境中形成器件区的FinFET结构，避免在形成FinFET结构时由于器件区及隔断区的结构不同所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114334659 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111643303.1
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 上海集成电路研发中心有限公司
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