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公开了用于将阈值电压偏移层沉积到衬底表面上的方法和系统以及使用该方法形成的结构和器件。一种示例性方法包括通过使用循环沉积过程来将阈值电压偏移层沉积到衬底表面上。阈值电压偏移层对于金属氧化物半导体场效应晶体管特别有用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114381711 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111191256.1 H01L 21/02 (2006.01)
(22)申请日 2
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