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通过在基板(10‑20)上形成导电材料岛(30a，30b)以及在导电岛之间的空间(35)中形成导电性牺牲层(40)来制造纳米线结构(5)。导电岛(30a，30b)包括阳极蚀刻阻挡层(30)。可阳极氧化层(50)形成在导电岛和牺牲层上方，并被阳极氧化以形成多孔模板(60)。纳米线(70)形成在多孔模板的叠覆在导电岛(30a，30b)上的区域(A)中。多孔模板和牺牲层的去除留下纳米线结构(5)，该纳米线结构(5)包括连接至用作集流器的相应导电岛(30a，30b)的隔离的纳米线组。相应的导电层和绝缘体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114424309 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202080065621.1 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限
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