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本发明所要解决的技术问题是提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。为了解决上述问题，本发明实现了一种半导体衬底的制造方法及其制造装置，所述半导体衬底的制造方法包括：设置步骤，交替设置原衬底和原料体；以及加热步骤，加热所述原衬底和所述原料体并在所述原衬底上形成生长层。通过采用这样的结构，本发明可以在多个原衬底各自中同时实现期望的生长条件，因而可以提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114423888 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202080065953.X (74)专利代理机构 北京商专永信知识产权代理
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