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本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件,其包含基底结构。所述基底结构包含沿第一方向延伸的一系列导电结构。所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶。半导体材料的支柱在所述台阶上方。所述半导体材料包含选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素。在一些应用中,所述半导体材料可为半导体氧化物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388506 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111141970.X
(22)申请日 2021.09.28
(30)优先权数据
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