测试结构及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.4万字
约 16页
2023-05-08 发布于四川
举报
版权申诉

测试结构及其制作方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明实施例提供一种测试结构及其制作方法，测试结构的制作方法包括：提供基底，并在所述基底上形成依次层叠的栅介质膜和导电膜；至少对所述导电膜进行图案化刻蚀，以形成位于所述基底上的多个分立的栅极结构，在所述栅极结构的排列方向上，相邻所述栅极结构之间的间距小于等于110nm；形成位于所述栅极结构相对两侧的隔离侧墙；以所述栅极结构和所述隔离侧墙为掩膜，向所述基底内注入掺杂离子，形成掺杂区，在垂直于所述基底表面的方向上，所述掺杂区的掺杂深度与所述基底顶面的间距小于10nm。本发明实施例有利于保证掺杂区电阻

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446812 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202011233637.7 (22)申请日 2020.11.06 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230