具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法.pdf

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本公开提供了一种具有杂质阻挡层的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底与AlN层之间增加杂质阻挡层，且杂质阻挡层为TiC膜层。由于TiC中的C原子位于Ti子晶格的所有八面体位置，是一种紧密堆积的间隙化合物，能够很好的阻挡来自衬底中向上扩散的杂质，降低硅衬底上生长的外延层中的杂质，提高硅衬底上生长的外延层的晶体质量，提高高电子迁移率晶体管的质量与可靠性。并且TiC膜层与AlN层具有很好的晶格匹配度，提高AlN层的生长质量以提高在AlN层上生长得到的外延层的整体质量，最

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420756 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202111552842.4 (22)申请日 2021.12.17 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司