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本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构以及介质层，堆叠结构的一端具有台阶区域，介质层覆盖堆叠结构的裸露表面；去除部分介质层和部分台阶区域，在介质层中以及台阶区域中形成接触开口，接触开口至少使得部分的牺牲层裸露；去除接触开口两侧的各绝缘介质层的部分以及介质层的部分，以在接触开口的侧壁上形成多个凹槽；在各凹槽中对应地形成氧化部，氧化部封住凹槽；在形成有氧化部的接触开口中填充第一填充材料，得到接触孔。接触孔与牺牲层接触的同时均停在了氧化部上，保证
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114446967 A
(43)申请公布日 2022.05.06
(21)申请号 202210082185.X
(22)申请日 2022.01.24
(71)申请人 长江存储科技有限责
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