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一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备.pdfVIP

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  • 2023-05-08 发布于北京
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一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备.pdf

    本发明实施例提供一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备。该外延结构包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型AlxGa1‑xN接触层、多量子阱发光层、p型AlyGa1‑yN阻挡层和p型GaN层，所述多周期复合式调控层包括多个自下至上依次生长的周期结构，每个所述周期结构均包括自下至上依次生长的第二AlN层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层，其中，所述n型AlxGa1‑xN接触层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和Alk

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420809 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210172823.7 (22)申请日 2022.02.24 (71)申请人 安徽格恩半导

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