提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法.pdf

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本公开提供了一种提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底上层叠Ni子层与Ni‑AlN合金子层，由于Ni子层的密度较大，提高在Ni子层上生长得到的外延材料的质量。在Ni子层上的Ni‑AlN合金子层与Ni子层的连接效果较好，并且氮化镓材料在Ni‑AlN合金子层上的生长为异质成核再在晶核的基础上进行生长，异质成核的成核功低，掺杂有Al的AlGaN缓冲层与Ni‑AlN合金子层有同质材料，可以快速生长，同时AlGaN缓冲层中也存在异质成核的情况，可以促进AlGaN

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420757 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202111555200.X (22)申请日 2021.12.17 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司