一种铁电场效应晶体管存储器件结构.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种铁电场效应晶体管存储器件结构.pdf

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本发明提供一种铁电场效应晶体管存储器件结构，包括存储器件结构本体，所述存储器件结构本体包括壳体、引脚、压板和防潮板，所述壳体的表面贴装有压板，所述压板的表面设置有信息标签，所述壳体的内部设置有防护层，所述防护层的底端设置有衬底，所述壳体的底端设置有绝缘柱，所述绝缘柱的底端贴装有防潮板，所述壳体的两侧连接有多个引脚，所述引脚的末端设置有焊板，所述焊板的中间设置有锡柱，所述锡柱的侧边连接有铜条，所述壳体的表面涂抹有填充胶，所述压板通过填充胶附着在壳体的顶部，该铁电场效应晶体管存储器件结构具有高效的防

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420647 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210081555.8 (22)申请日 2022.01.24 (71)申请人湖南