一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT.pdf

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本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有逆向导通能力的GaNRC‑HEMT器件。本发明在传统MIS栅HEMT器件基础上引入电流阻挡层和多沟道导电通路，并且集成了反向续流肖特基管，降低了反向开启损耗。阻挡层形成2DHG阻断纵向电流通路，实现器件增强型。正向导通时栅极加高电位，栅极侧壁形成反型层使纵向沟道导通，漂移区的多沟道导电通路和栅极下方形成的电子积累层均降低了导通电阻；正向阻断时，阻挡层辅助耗尽漂移区调制电场，降低电场尖峰，此外多沟道区域形成的极化电场可以进一步提高漂移区耐压，有效缓解了导通电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113675270 A (43)申请公布日 2021.11.19 (21)申请号 202111000705.X (22)申请日 2021.08.27 (71)申请人电子