测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法.pdf

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本发明涉及成像分析技术领域，具体涉及一种测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法，包括将二硫化钼薄层，固定在氧化铟锡导电芯片上，向氧化铟锡导电芯片中加入样品液或电解质盐溶液，得到待测芯片；将待测芯片放置于阻抗‑干涉反射成像系统的样品台上，将待测芯片与三电极体系连接，利用相机采集待测芯片中的二硫化钼薄层的干涉反射成像；提取干涉反射成像中的典型样品区域；对干涉反射成像中的像素点以及典型样品区域内的平均光学强度做快速傅里叶变换处理，得到幅度信息；将每个像素点的幅度信息进行累计，得到表面电荷分布的图像。本

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114487046 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210110615.4 (22)申请日 2022.01.29 (71)申请人中国科学技术大学地址 23002