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一种半导体结构的形成方法,包括:提供当前晶圆,当前晶圆包括若干个芯片区,且当前晶圆上依次形成有待刻蚀层和芯模结构,芯模结构包括牺牲层以及覆盖层,各芯片区的覆盖层的厚度具有差异;在芯模结构的侧壁上形成侧墙;刻蚀部分覆盖层和部分牺牲层,直至暴露出待刻蚀层的表面,在剩余芯模结构内形成第一开口;获取当前晶圆各芯片区的牺牲层的刻蚀速率并反馈至控制系统,各芯片区的牺牲层的刻蚀速率具有差异;控制系统根据牺牲层的刻蚀速率调整下一晶圆上形成的覆盖层的厚度,随着牺牲层的刻蚀速率的增大,在下一晶圆上形成的覆盖层的厚度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114496772 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202011265480.6
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限
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