场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件.pdf

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本发明提供了一种场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件。该场效应晶体管器件包括衬底、功能主体、栅介质和栅极；功能主体包括漂移外延区、沟道区、源区、第一屏蔽区和第二屏蔽区，功能主体中设置有槽口位于远离衬底的一侧表面的多个栅极沟槽，各栅极沟槽内均设置有栅极和栅介质，沟道区接触其中一个栅极沟槽中的栅介质，沟道区中具有沟道，第一屏蔽区位于沟道区与另一个栅极沟槽之间，且第一屏蔽区接触另一个栅极沟槽中的栅介质，第二屏蔽区位于栅极沟槽下，第二屏蔽区连接于第一屏蔽区。该第一屏蔽区和第二屏蔽区能够大幅降低器件的导

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497202 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111675319.0 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人松山湖材料实验室