晶圆背面减薄方法.pdfVIP

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本发明公开了一种晶圆背面减薄方法包括如下步骤:步骤一、在具有台阶形貌的晶圆的正面表面贴上背面研磨保护膜。步骤二、对背面研磨保护膜的正面表面进行平坦化。步骤三、将晶圆固定放置在减薄机台的晶圆支撑盘上,晶圆通过背面研磨保护膜的平整的正面表面和晶圆支撑盘形成无缝隙且平整的接触。步骤四、对晶圆进行背面减薄,背面减薄过程中晶圆支撑盘提供的支撑力在晶圆面内分布均匀。步骤五、去除背面研磨保护膜。本发明能消除晶圆正面台阶形貌对背面减薄的不利影响,防止由于晶圆的受力不均产生的微裂缝和研磨速率差异,从而实现对晶圆的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496774 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210084168.X (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址

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