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本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明使小、大籽晶块接缝处形成功能晶界阻止坩埚四周的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114481319 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202011154191.9
(22)申请日 2020.10.26
(71)申请人 福建新峰二维材料科技有限公司
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