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本发明公开了一种低温柔性应变传感器的制备方法，其特征在于包括：步骤1，通过模具成型法的方式，制备柔性基底；步骤2，将预拉伸的柔性基底固定在磁控溅射真空室的基座上，用银靶进行溅射，并引出电极；步骤3，将CNTs和SDS粉末混合，得到分散均匀的碳纳米管导电物质；步骤4，将步骤3得到的碳纳米管导电物质沉积在步骤2的银层上，得到低温柔性应变传感器的半成品；步骤5，将步骤4得到的低温柔性应变传感器的半成品进行封装处理，得到低温柔性应变传感器。采用本发明提出的方法制备得到的传感器在低温下具有良好的柔性，优异
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114485376 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202111297067.2
(22)申请日 2021.11.03
(71)申请人 上海海事大学
地址 201306
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