一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片.pdf

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本申请实施例提供一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片，涉及光伏电池领域。用于硅片的扩散方法包括以下步骤：先将预处理后的硅片进行一次沉积处理，温度为700～780℃，然后进行二次沉积处理，温度为720～800℃，二次沉积处理的温度高于一次沉积处理的温度；再将硅片进行一次推结处理，温度为800～840℃；随后将硅片进行二次推结处理，温度为840～880℃；一次推结处理的温度高于二次沉积的温度，低于二次推结处理的温度。使用该扩散方法得到的光伏硅片，其硅片表面掺杂浓度低，内部掺杂浓度高且均匀，硅片的表面复合

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497283 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210117046.6 (22)申请日 2022.02.07 (71)申请人通威太阳能(安徽)