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本发明提供了一种半导体存储器结构的形成方法，包含依序形成主动层、硬遮罩层、以及核心层于基底之上、以及刻蚀核心层以形成核心图案。核心图案包含第一长条、第二长条、以及抵接第一长条和第二长条的多个支撑部件。此方法还包含形成间隔物层于核心图案旁边、移除核心图案、形成光阻图案于间隔物层上方、使用光阻图案和间隔物层，刻蚀硬遮罩层以形成硬遮罩图案、以及将硬遮罩图案转移至主动层以形成栅极堆迭。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464624 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202011247224.4
(22)申请日 2020.11.10
(71)申请人 华邦电子股份有限公司
地址 中国台
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用户编号：7160061112000031
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