基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备.pdf

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本发明提供了一种基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备，包括：栅极驱动器，多个GaNMOS管、多个第一铁氧体磁珠以及多个第二铁氧体磁珠；每个所述GaNMOS管的漏极均连接VCC，每个所述GaNMOS管的源极均连接GND，每个所述GaNMOS管的栅极均串联有一个第一铁氧体磁珠，每个所述第一铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的GDA端口，每个所述GaNMOS管的开尔文源极均串联有一个第二铁氧体磁珠，每个所述第二铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的SSA端口。本发明用体积较小的铁氧体磁珠作为高频抑制

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114465458 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210081722.9 (22)申请日 2022.01.24 (71)申请人北京绿能芯创电子科技有限公司地址