一种强下拉锁存结构电平转换电路.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种强下拉锁存结构电平转换电路.pdf

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本发明公开了一种强下拉锁存结构电平转换电路，包括两极输入反相器、强下拉锁存电路和DLS输出反相器；所述强下拉锁存电路包括由四个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管构成的两部分结构，每一部分结构均包括一个RVT上拉PMOS晶体管、一个HVT中间上拉PMOS晶体管和一个LVT下拉NMOS晶体管，每一部分RVT上拉PMOS晶体管的栅极均连接于另一部分LVT下拉NMOS晶体管的漏极，构成强下拉锁存电路；两极输入反相器包括两个级联关系的反相器；DLS输出反相器作为输出反相器电路。本发明保证了先进工艺下超低内

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114499497 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210092878.7 (22)申请日 2022.01.26 (71)申请人安徽大学