金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法.pdf

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本发明公开了一种金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，包括如下步骤：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂n型氧化镓和高掺杂n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；正面和背面欧姆接触的制备。本发明针对现有pn结型金刚石二极管由于n型掺杂激活率低导致的n型掺杂区域电阻高、器件导通电阻大的问题，基于氧化镓选择性延生长技术，开发了一种金刚石异/氧化镓超宽禁带异质pn结二极管的制备方法，具有器件导通电阻低、击穿电压高、高温稳定性好等优点。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497186 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111669320.2 H01L 29/861 (2006.01) (22)申请日 2021.12