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本发明涉及部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括有源区、n阱区以及分隔有源区与n阱区的隔离区。可以设置浮置栅极。浮置栅极可以布置在有源区的一部分和n阱区的第一部分上方。有源区中的第一掺杂区可以在第一侧相对于浮置栅极横向移位，并且有源区中的第二掺杂区可以在与第一侧相反的第二侧相对于浮置栅极横向移位。接触可以布置在n阱区上方，其中接触可以相对于在n阱区的第一部分上方的浮置栅极的第一拐角横向移位。硅化物排斥层可以至少部分地布置在浮置栅极上方。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464665 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202111140754.3
(22)申请日 2021.09.28
(30)优先权数据
17/093602 2020.
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