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本发明提供晶片的加工方法，在激光加工前对晶片的背面的膜进行磨削时，能够抑制磨削磨具的堵塞。晶片的加工方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，通过对于膜或基板具有吸收性的波长的激光光线，在晶片的背面形成将膜局部地去除的激光加工槽；预备磨削步骤，对晶片的背面进行磨削而将膜和激光加工槽去除，形成规定以上的厚度的晶片；改质层形成步骤，将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于基板的内部而从晶片的背面侧进行照射，在基板的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及磨削步骤，从背面侧对晶片进行磨削，将晶片薄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464572 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202111312130.5
(22)申请日 2021.11.08
(30)优先权数据
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