一种硅片处理方法和装置.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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一种硅片处理方法和装置.pdf

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本申请实施例提供了一种硅片处理方法和装置。所述硅片处理方法包括：对硅片进行抛光处理，以去除硅片表面的损伤层；提供反应气体，其中，所述反应气体至少包括氧气和含卤气体；在第一预设温度下，采用所述氧气和所述含卤气体与所述硅片的表面反应，在所述硅片的表面形成微绒面，并去除所述硅片的金属杂质。本申请实施例可以减少化学品和水资源的消耗，减小硅片微绒面制作过程对于环境的影响，避免对硅片及其微绒面造成损伤，还有利于形成覆盖率更高和纵横比更高的微结构，以增强所述微绒面的陷光效果，提升所述微绒面的质量。而且，还可以

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464699 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111680653.5 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人隆基绿能科技股份有限公司地址 7