光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法.pdf

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本发明提供一种光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的良品率低的技术问题。该光刻胶的处理方法包括：对光刻胶显影，在掩模材料层上形成图形化的光刻胶层，以及形成于光刻胶层的表面上的副产物；对光刻胶层进行等离子体处理，使光刻胶层硬化；通过等离子体处理使光刻胶层硬化，光刻胶层的抗变形能力增强，当以光刻胶层为掩膜对掩模材料层干法刻蚀时，光刻胶层不易发生变形，刻蚀准确性高，从而提高了半导体结构的良品率。此外，等离子体处理还可以去除至少部分副产物，使得光刻胶层内的气体排出

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496736 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011257944.9 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230