一种基于绒面结构的NEA GaAs光电阴极及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种基于绒面结构的NEA GaAs光电阴极及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于绒面结构的NEAGaAs光电阴极及制备方法，属于光电阴极技术领域，所述结构由下至上依次是半导体衬底、GaAs发射层和表面激活层，衬底为Si或者SiC等绝缘体，发射层的上表面被制成了金字塔形的绒面结构，然后对绒面发射层进行Cs/O激活形成激活层。本发明制成的金字塔结构尺寸在1微米左右，且分布均匀。通过表面制绒，降低光电阴极表面的反射率，增加光的吸收，进而提高光电阴极的量子效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496685 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111671068.9 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人南京理工大学地址 210094