一种MPCVD法生长多晶金刚石的制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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一种MPCVD法生长多晶金刚石的制备方法.pdf

本发明公开一种MPCVD法生长多晶金刚石的制备方法，包括以下步骤：步骤一、选取质量分数为40%~80%硅溶胶溶液与金刚石微粉均匀混合后得到混合物；步骤二、将步骤一得到的混合物直接压制成衬底片或者将步骤一得到的混合物与钼台一起压铸成型得到坯体，进行预烧结；步骤三、将步骤二预烧结后得到的衬底片或坯体放入MPCVD机器腔体中，在750~1250℃沉积10~240h，获得多晶金刚石毛坯；步骤四、采用BOE溶液处理步骤三得到的多晶金刚石毛坯之后即得到多晶金刚石，本发明提供了一种低成本的衬底，有效的降低了多

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114517331 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202210186086.6 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人郑州航空工业管理学

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