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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明涉及深紫外UVC芯片技术领域，尤其涉及一种深紫外UVC芯片外延结构及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：所述深紫外UVC外延结构包括衬底和生长在所述衬底一侧的功能层；所述功能层为AlGaN基功能层；将所述衬底的另一侧制备Ni金属层后，进行热处理，得到Ni金属自组装球聚层；以所述Ni金属自组装球聚层为掩模进行刻蚀后，去除所述Ni金属自组装球聚层，得到凹凸不平的衬底面；在所述凹凸不平的衬底面生长增透膜。所述制备方法制备得到的深紫外UVC芯片外延结构可以提高UVC芯片的外量子效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512581 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202210412878.0
(22)申请日 2022.04.20
(71)申请人 至芯半导体（杭州）
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