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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明公开一种半导体装置及半导体装置的制作方法，其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极盖层、介电层、及栅极电极。半导体通道层设置于基底之上，半导体阻障层设置于半导体通道层之上。栅极盖层设置于半导体阻障层之上，介电层顺向性的覆盖住栅极盖层且围绕栅极盖层的周边。栅极电极设置于介电层之上，且覆盖栅极盖层的至少一侧壁。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520263 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011299296.3
(22)申请日 2020.11.19
(71)申请人 联华电子股份有限公司
地址 中国台
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