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2023-05-10 发布于北京
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本发明公开一种存储器组件，其包括存储器结构。所述存储器结构包括衬底、沟道区、第一掺杂区、第二掺杂区、浮动栅极以及介电层。所述沟道区设置于所述衬底上。所述第一掺杂区所述与第二掺杂区设置于所述衬底上且分别位于所述沟道区的两侧。所述浮动栅极设置于所述沟道区上。所述介电层设置于所述浮动栅极和所述沟道区之间、所述浮动栅极和所述第一掺杂区之间以及所述浮动栅极和所述第二掺杂区之间。所述浮动栅极和所述第一掺杂区部分交叠，和/或所述浮动栅极和所述第二掺杂区不交叠，且在所述沟道区的长度方向上，所述浮动栅极的邻近所述

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512549 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202111265241.5 (22)申请日 2021.10.28 (30)优先权数据 63/113,978 2020