半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底上具有若干相互分立的鳍部，鳍部沿第一方向延伸，鳍部沿第一方向包括边缘区和中间区，鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区，第一区的侧壁相对于第二区的侧壁凹陷；位于衬底上的隔离层；横跨边缘区的第一栅极结构；位于鳍部内的源漏掺杂层。当在后续隔离层受到损伤时，由于第一区的侧壁相对于第二区的侧壁凹陷，隔离层也不易将第一区的侧壁暴露出来，进而有效的降低的漏电的问题。另外，由于第一区的侧壁相对于第二区的侧壁凹陷，使得第一区与第二区沿第一方向上的尺寸差值较小，在后续第

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551596 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202011330968.2 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人中芯国际集成电路制