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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdf

    本发明提供具备能够提高对ArF准分子激光的曝光光的透射率、同时能够抑制对于确保期望的相位差而言必要的膜厚的相移膜的掩模坯料。该掩模坯料在透光性基板(1)的主表面上具备相移膜(2)，其中，相移膜(2)含有硅、氧及氮，相移膜(2)的氮的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为0.20以上且0.52以下，相移膜(2)的氧的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为1.16以上且1.70以下，相移膜(2)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为1.7以上且2.0以下，消光系数k为0.05

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114521245 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202080066119.2 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所

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