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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括有源区；隔离结构，位于基底中且环绕有源区，隔离结构顶面呈台阶状，包括朝向有源区的第一台阶部、侧壁与第一台阶部顶面相连的过渡台阶部、以及侧壁与过渡台阶部顶面相连的第二台阶部，第一台阶部、过渡台阶部和第二台阶部的顶面依次增高，第二台阶部顶面高于基底表面；栅氧化层，位于有源区的基底表面；栅极层，覆盖有源区的栅氧化层并延伸覆盖第一台阶部和过渡台阶部；栅极插塞，位于过渡台阶部的顶部上方且电连接栅极层。本发明使得位于过渡台阶部顶部的栅极层被保留，从而使栅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114551564 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202011354430.5
(22)申请日 2020.11.26
(71)申请人 中芯北方集成电路制造（北京）有限
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