一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法.pdf

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本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明小籽晶块与大籽晶块接缝处形成的功能晶界阻止坩埚

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114540953 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202011363122.9 (22)申请日 2020.11.27 (71)申请人福建新峰二维材料科技有限公司地址