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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明涉及用认证膜认证集成电路的方法及相关结构。本公开提供了一种认证集成电路IC结构的方法。该方法可以包括在IC结构内形成第一认证膜AF材料。第一AF材料的组成不同于IC结构内的相邻材料。该方法包括将第一AF材料转化为IC结构内的空隙。此外,该方法包括创建IC结构的认证布局以包括用于认证IC结构的IC结构中空隙的位置。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520210 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202111367821.5 (51)Int.Cl.
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