一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法.pdf

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本发明公开了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属钨箔为钨源，金属铌箔为铌源，生长衬底倒扣在金属钨箔上，金属铌箔面积小于金属钨箔面积，生长衬底一端直接与金属钨箔接触，另一端在铌源的正上方，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料。所得的单层铌掺杂硫化钨晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄高效场效应晶体管领域。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114540956 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202111641662.3 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人杭州电子科技大学地址 31001