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本申请公开了沟槽型功率器件及其制造方法。所述沟槽型功率器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的漂移区；位于所述漂移区中的第一沟槽和第二沟槽；位于所述第一沟槽中的栅叠层；以及位于所述第二沟槽侧壁上的肖特基金属，其中，所述肖特基金属与所述漂移区形成肖特基势垒二极管。该沟槽型功率器件采用双沟槽结构，将沟槽型MOSFET和肖特基势垒二极管相结合且将肖特基金属形成在沟槽侧壁上，不仅可以提高功率器件的性能，而且可以减小功率器件的单元面积。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512545 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202111652594.0
(22)申请日 2021.12.30
(71)申请人 杭州芯迈半导体技术有限公司
地址
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