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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底，包括一P型元件区以及一N型元件区，其中该P型元件区包括锗掺杂。一第一栅极介电层位于该P型元件区上。一第二栅极介电层位于该N型元件区上。该第一栅极介电层与该第二栅极介电层是通过相同氧化制作工艺同时形成，且该第一栅极介电层包括氮掺杂，该第二栅极介电层不包括该氮掺杂。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520227 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011293784.3
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 联华电子股份有限公司
地址 中国台
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