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一种背照式雪崩光电二极管芯片及制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台。该制备方法包括：提供重掺杂的衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，在第一表面上形成有外延层(S1)；在外延层中形成背照式雪崩光电二极管阵列(S2)；形成硅通孔，硅通孔贯穿外延层并部分地嵌入衬底,硅通孔的侧壁为竖直的(S3)；在硅通孔上形成布线层(S4)；减薄衬底，以在第二表面露出所述硅通孔(S5)。该背照式雪崩光电二极管芯片为高集成度、阵列化的接收芯片，即面阵化的APD芯片，拥有更稳定的性能和优异的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114556594 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202080014748.0 (74)专利代理机构 北京市磐华律师事务所
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