一种存储装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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一种存储装置及其制造方法.pdf

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本申请实施例提供了一种存储装置及其制造方法，所述方法包括：提供基底结构，所述基底结构包括：衬底和所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括多级台阶，每级所述台阶包括牺牲层和层间绝缘层，每级所述台阶的顶面显露出所述牺牲层的上表面；形成覆盖所述牺牲层上表面且暴露所述台阶侧面的牺牲增厚层；形成贯穿所述叠层结构的栅线隔槽；通过所述栅线隔槽去除所述牺牲层和所述牺牲增厚层，其中，去除所述叠层结构中的未与所述牺牲增厚层接触的牺牲层以形成第一间隙，去除与所述牺牲增厚层接触的所述牺牲层和所述牺牲增厚层以形成第二间隙；

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520231 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202111641167.2 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人长江存储科技有限责任公司地址 4