发光二极管阵列.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种制造发光二极管(LED)阵列的方法,该方法包括:形成多个半导体材料层(100、101、103);在该多个层上形成介电掩模层(104),该介电掩模层具有穿过其的孔(106)的阵列,每个孔使半导体材料层中的一个半导体材料层的一区域暴露;以及在每个孔中生长LED结构(110、112、114),该LED结构布置为发射在一波长范围内的光。多个层中的至少一些(101)形成分布式布拉格反射器(DBR),该分布式布拉格反射器布置成反射所述波长范围中的至少一些波长的光。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114521296 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202080067170.5 (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限

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