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本发明公开了一种碳化硅器件，包括：位于所述碳化硅衬底内且交替间隔设置的栅极沟槽和源极沟槽；位于栅极沟槽的栅极，栅极通过第一绝缘层与第二n型碳化硅层隔离，栅极通过第二绝缘层与p型半导体层和第三n型半导体层隔离；位于源极沟槽内的源极，源极与p型碳化硅层和第三n型碳化硅层连接，源极通过第三绝缘层与源极沟槽的侧壁位置处的第二n型碳化硅层隔离；位于第二n型碳化硅层内且位于源极沟槽底部位置处的p型阱区，p型阱区与源极在源极沟槽的底部位置相连接。本发明可以降低栅极被击穿的风险，并提高碳化硅器件的耐压。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512531 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202011280134.5
(22)申请日 2020.11.16
(71)申请人 苏州东微半导体股份
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