采用预铺Ga层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法及结构.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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采用预铺Ga层在金刚石上外延β-Ga2O3薄膜的制备方法及结构.pdf

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本发明涉及一种采用预铺Ga层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备预铺Ga层(2)；在所述预铺Ga层(2)上制备薄膜层(3)。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入预铺Ga层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延β‑Ga2O3层质量，降低了外延β‑Ga2O3层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114525585 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202210009987.8 H01L 29/24 (2006.01) (22)申请日 2