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- 2023-05-10 发布于四川
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本专利介绍了一种高稳定性石墨烯纳米孔制备方法。将机械剥离法制备的高质量石墨烯薄膜转移到带孔氮化硅芯片上形成悬空膜结构。通过氧等离子体刻蚀在石墨烯薄膜中人工引入晶格缺陷，精确控制石墨烯中缺陷密度，用于依附产生纳米孔。将处理过后的石墨烯芯片置于特制的光控流体池中，在两侧施加逐级递增的脉冲电流进行击穿。在击穿过程中，使用脉冲激光对目标区域石墨烯进行辐照提高其晶格温度提高击穿事件发生概率。通过该方法制备出的石墨烯纳米孔尺寸可控性较高，最小击穿直径在1nm以下，孔径最高控制精度0.5nm，孔长最高控制精度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114516615 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210143912.9
(22)申请日 2022.02.17
(71)申请人 南开大学
地址 300071 天津
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